۰

ابداع حافظه جدیدی که در دمای 600 درجه سانتی‌گراد بدون مشکل کار می‌کند!

ابداع حافظه جدیدی که در دمای 600 درجه سانتی‌گراد بدون مشکل کار می‌کند!
بازدید 5
مدت زمان خواندن نوشته : 2 دقیقه


پژوهشگران آمریکایی به تازگی نوع جدیدی از حافظه به نام Ferrodiode Memory را معرفی کرده‌اند که می‌تواند بالغ بر 60 ساعت در دمای 600 درجه سانتی‌گراد بدون مشکل کار کند.

محققان دانشگاه پنسیلوانیا با انتشار یک مقاله جدید در نشریه Nature Electronics نوع جدیدی از حافظه را معرفی کرده‌اند که می‌تواند در دمای بسیار بالا بدون هیچ مشکلی کار کند.

حافظه Ferrodiode Memory

این نوع حافظه که Ferrodiode Memory نام‌گذاری شده، یک حافظه غیرفرار فروالکترونیک مقیاس‌پذیر است که مقاومت حرارتی فوق‌العاده بالا را ارائه کرده و می‌تواند در شرایط محیطی سخت بسیار کاربردی باشد. به گفته محققان، حافظه Ferrodiode Memory در تست‌های مختلف توانسته به مدت 60 ساعت در دمای 600 درجه سانتی‌گراد بدون مشکل کار کند.

حافظه Ferrodiode Memory از یک لایه نازک 45 نانومتری از ماده AIScN ساخته شده و به دلیل توانایی حفظ وضعیت الکتریکی پس از حذف میدان خارجی و داشتن ویژگی‌های مطلوب دیگر، به گزینه‌ای ایده آل برای ساخت حافظه‌های جدید تبدیل شده است.

مقاومت در برابر شرایط سخت محیطی تا 600 درجه سانتی‌گراد!

به گزارش Tomshardware، در تست‌های گوناگون حافظه Ferrodiode Memory در دمای ۶۰۰ درجه‌ سانتی‌گراد و با ولتاژ کمتر از ۱۵ ولت به مدت ۶۰ ساعت مورد آزمایش قرار گرفت و عملکرد تقریباً بدون مشکلی از خود به نمایش بگذارد.

دیپ جاریوالا (Deep Jariwala)، از دانشکدهٔ مهندسی دانشگاه پنسیلوانیا در مصاحبه مطبوعاتی خود اظهار داشت:

ماده AIScN مورد استفاده برای ساخت این نوع حافظه با نیکل و پلاتین احاطه شده است. با این وجود، یافتن ضخامت مناسب برای این مواد آن‌قدر دشوار بود که من و همکارانم ماه‌ها بر روی آن کار کردیم.

حافظه Ferrodiode Memory

وی در ادامه توضیح داد که ساخت حافظه Ferrodiode Memory یک دستاورد مهم در دنیای کامپیوتر به شمار می‌آید، چرا که در آینده نزدیک می‌توان از این حافظه برای ذخیره‌سازی داده‌ها در شرایط محیطی سخت مانند حفاری در عمق زمین یا اکتشافات فضایی، استفاده کرد.

در همین رابطه بخوانید:

– حافظه داخلی UFS 4.0 میکرون با سرعت 4300 مگابایت در ثانیه عرضه شد

– رونمایی سامسونگ از حافظه HBM3E با سرعت سرسام آور 9.8 گیگابیت بر ثانیه

به گفته پژوهشگران، دستگاه‌های مبتنی بر حافظه Ferrodiode باید امکان تغییر سریع بین حالات الکتریکی را داشته باشند، چرا که این قابلیت برای نوشتن و خواندن داده‌ها با سرعت بالا بسیار مهم است.



منبع

نظرات کاربران

  •  چنانچه دیدگاهی توهین آمیز باشد و متوجه نویسندگان و سایر کاربران باشد تایید نخواهد شد.
  •  چنانچه دیدگاه شما جنبه ی تبلیغاتی داشته باشد تایید نخواهد شد.
  •  چنانچه از لینک سایر وبسایت ها و یا وبسایت خود در دیدگاه استفاده کرده باشید تایید نخواهد شد.
  •  چنانچه در دیدگاه خود از شماره تماس، ایمیل و آیدی تلگرام استفاده کرده باشید تایید نخواهد شد.
  • چنانچه دیدگاهی بی ارتباط با موضوع آموزش مطرح شود تایید نخواهد شد.

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

بیشتر بخوانید