دانشمندان علوم کامپیوتر به تازگی توانسته‌اند نوعی حافظه ایجاد کنند که سرعت بالای SRAM، هزینه پایین تولید DRAM و طول عمر بالا را در اختیار ما قرار می‌دهد. این دستاورد که حافظه جهانی (Universal computer memory) نام دارد، یک قدم به واقعیت نزدیک‌تر شده و نویدبخش نسل جدیدی از کامپیوترهای پرسرعت را می‌دهد.
کامپیوترهای امروزی از حافظه کوتاه‌مدت مانند حافظه با دسترسی تصادفی (رم) و حافظه بلند‌مدت مانند درایوهای ذخیره‌سازی حالت جامد (SSD) یا هارد دیسک‌ها برای اهداف مختلف استفاده می‌کنند. حافظه رم بسیار سریع است، با این حال به مقدار قابل توجهی فضای فیزیکی و منبع تغذیه ثابت نیاز دارد و زمانی که کامپیوتر شما خاموش می‌شود (منبع تغذیه قطع می‌شود)، داده‌های ذخیره شده روی آن نیز پاک می‌شوند.
در طرف مقابل تراشه‌های حافظه فلش قرار دارد که بدون نیاز به منبع برق می‌توانند داده‌ها را نگداری کرده و بسیار متراکم‌تر هستند، اما در زمینه انتقال داده‌های ذخیره شده نسبت به RAM بسیار کند عمل می‌کنند.
حافظه جهانی دروازه ورود ما به دنیای کامپیوترهای فوق سریع خواهد بود
برای رفع این محدودیت‌ها و رسیدن به چیزی که بتواند تمام ویژگی‌های مثبت فوق را داشته باشد، ایده حافظه جهانی مطرح شده است.
ایده ساخت تراشه‌های حافظه جهانی (Universal Computer Memory) از سال‌ها قبل در دنیای کامپیوتر مطرح شده و پژوهشگران زیادی به دنبال تحقق آن بوده‌اند. این ایده به نوع جدیدی از تراشه حافظه اشاره دارد که هزینه تولید پایین مانند DRAM و سرعت بالای SRAM را در کنار طول عمر بسیار زیاد ارائه می‌کند.
اگرچه ایده مذکور تا به امروز به دلیل چالش‌های گوناگون هرگز به واقعیت نزدیک نشده، اما دانشمندان توانسته‌اند یک نمونه اولیه بسیار پایدار با استفاده از یک ماده کاملاً جدید تولید کننده که هم سریع بوده و هم از نظر انرژی بسیار کارآمد است. این پروژه اکنون توانسته ساخت اولین حافظه جهانی را یک قدم به واقعیت نزدیک‌تر کند.
ماده جدید مورد استفاده برای ساخت این حافظه GST467 نام‌گذاری شده که حاوی ژرمانیوم، آنتیموان و تربیوم بوده و به عنوان یک لایه تکراری در ساختار لایه‌ای انباشه (معروف به ابر شبکه) مورد استفاده قرار گرفته است.
به ادعای دانشمندان، این ماده می‌تواند به ساخت تراشه‌های حافظه سریع‌تر، ارزان‌تر و کم مصرف منجر شده و دنیای کامپیوتر را به مرحله جدیدی وارد کند.
براساس مطالعات انجام شده، نمونه اولیه در واقع یک نوع حافظه تغییر فاز (PCM) به شمار می‌آید که بین حالت‌های مقاومت بالا و کم روی یک ماده شیشه‌ای تغییر کرده و صفر و یک داده‌های کامپیوتری را ایجاد می‌کند.
به گزارش Livescience، هنگامی که ماده در PCM متبلور می‌شود (که نشان‌دهنده «یک» است)، مقدار زیادی انرژی آزاد شده و مقاومت کاهش می‌یابد. در مقابل، زمانی که این ماده ذوب شده و همان میزان انرژی را با مقاومت بالا تولید می‌کند، نشان‌دهنده صفر است.
در همین رابطه بخوانید:
– سریع ترین حافظه GDDR6 با سرعت 24 گیگابیت بر ثانیه توسط سامسونگ معرفی شد
– حافظه رم LPDDR5T برند SK hynix عرضه شد؛ 13 درصد سریع‌تر از LPDDR5X
به گفته پژوهشگران، ماده GST467 یک کاندید ایده‌آل برای استفاده در PCM محسوب می‌شود، زیرا تبلور بالاتر و دمای ذوب کم‌تری نسبت به سایر مواد جایگزین ساخته شده از آنتیموان، تریبیوم و ژرمانیوم (که نسبت‌ها و ساختارهای کریستالی متفاوتی دارند) ارائه می‌کند.
نظرات کاربران