تکنولوژی ساخت 18A: نگرانی‌هایی برای گذار به سطح 2 نانومتری دارد.

با مشارکت طراحان برجسته از شرکت‌های بی‌ام‌و، ولوو و فولکس‌واگن، یک خودرو مفهومی بسیار زیبا و جذاب به نام ایجس کوپه کانسپت معرفی شده است. این خودرو با همکاری نام‌آشنایانی همچون کوچین لی، طراح برجسته بی‌ام‌و، گریگوری بوتین، طراح سابق فولکس‌واگن، و تیاگو آیلو، طراح ولوو، طراحی شده است. تلاش این افراد معتبر و با تجربه به نحوی بوده که ایجس کوپه کانسپت با ظاهری فوق‌العاده و استثنایی در میدان خودروسازی به نمایش گذاشته شده است، جلب توجه و تحسین همگان را به همراه داشته است.

وعده‌های بزرگ اینتل با فناوری ساخت تراشه Intel 18A

اخیراً مدیرعامل اینتل، آقای پت گلسینگر، در مصاحبه‌ای با مجله بارونز مدعی شده فناوری ساخت تراشه آتی 18A این کمپانی نه تنها می‌تواند بهتر از TSMC باشد، بلکه یک سال زودتر از TSMC هم در دسترس مشتریان قرار می‌گیرد. به وضوح این ادعای بزرگی است و اگر درست از آب دربیاید، برتری بزرگی برای اینتل ایجاد می‌کند.

مدیرعامل اینتل با ابراز امیدواری نسبت به دستیابی به توانایی رقابت با TSMC و ارائه فناوری ساخت تراشه بهتر، از خوش بینی‌ها نسبت به آینده بخش تولید تراشه این کمپانی گفت.

آن‌طور که رقیب اینتل می‌گوید، فناوری ساخت آتی TSMC به نام N3P که جزء فناوری‌های رده 3 نانومتری خواهد بود، دارای مصرف انرژی قابل مقایسه با فناوری Intel 18A است. می دانیم کمپانی تایوانی TSMC خود را برای تولید انبوه تراشه با فناوری ساخت N3P در نیمه دوم 2024 آماده می‌کند که حالا به نظر می‌رسد در آن زمان اینتل فناوری‌های ساخت 20A و 18A را ارائه می‌کند.

خوش بینی‌های سکان دار اینتل در حالی مطرح می‌شود که TSMC برای ارائه فناوری ساخت 2 نانومتری N2 در سال 2025 برنامه ریزی کرده است و می‌گوید بهتر از فناوری N3P این کمپانی و 18A اینتل خواهد بود. احتمالاً اپل با سری آیفون 17 پرو، اولین مشتری فناوری ساخت 2 نانومتری TSMC باشد.

عمده امیدواری‌های اینتل به فناوری‌های ساخت 20A و 18A این کمپانی، ریشه در معماری ترانزیستورهای ریبونی (RibbonFET) دارد که در آن تغذیه ترانزیستورها برخلاف فناوری‌های کنونی، از زیر دای انجام می‌شود. این تکنیک به افزایش تعداد ترانزیستورها، ساخت تراشه‌های سریع‌تر و کاهش نشت جریان کمک می‌کند.

در حالی که اینتل برای تولید تراشه با فناوری پیشرفته‌تر RibbonFET آماده می‌شود، فناوری ساخت 3 نانومتری TSMC متکی بر ترانزیستورهای FinFET است و پیش از فناوری ساخت 2 نانومتری، خبری از به‌کارگیری فناوری مشابه اینتل نخواهد بود.

در همین رابطه بخوانید:

– وعده اینتل برای بازگشت به اوج با فناوری ساخت 18A و توصیه جنجالی یک خبرنگار!

فناوری RibbonFET از نوارهای نازک و بسیار بلندی از مواد نیمه‌رسانا استفاده می‌کند که به صورت افقی روی سطح ترانزیستور قرار می‌گیرند. این نوارها تأمین جریان الکتریکی را بسیار بهتر انجام داده و باعث بهبود عملکرد و کارایی ترانزیستور می‌شوند.

اینتل و صنایع نیمه هادی تایوان تنها رقبایی نیستند که بر سر فناوری ساخت تراشه 2 نانومتری رقابت می‌کنند. می دانیم سامسونگ هم از سال 2025 تراشه 2 نانومتری می‌سازد. جالب‌تر اینکه شرکت ژاپنی Rapidus هم برای تولید تراشه 2 نانومتری از سال 2027 آماده می‌شود.